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M29W160EB80ZA3SE TR 零件图片(仅供参考)

M29W160EB80ZA3SE TR
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M29W160EB80ZA3SE TR 规格参数

还在为关键程序代码和数据的存储安全而担忧吗?让M29W160EB80ZA3SE TR为您构建坚实的数据堡垒。这颗16Mb容量的并行NOR闪存芯片,能轻松存储您的引导程序、操作系统或应用程序,其非易失特性确保断电后数据毫发无损,让设备每次启动都快速可靠。

它拥有80ns的高速访问性能,能显著提升系统读取效率。宽电压(2.7V-3.6V)与超宽工作温度(-40°C至125°C)的设计,让您的产品能够从容应对工业、汽车等严苛环境挑战,保障极端条件下的稳定运行。选择它,就是为您的产品选择了一份历经验证的存储可靠性。

  • 制造商产品型号:M29W160EB80ZA3SE TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:16Mb(2M x 8,1M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:80ns
  • 访问时间:80ns
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:48-TFBGA
  • M29W160EB80ZA3SE TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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M29W160EB80ZA3SE TR 基本参数:

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