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还在为存储系统的性能天花板而烦恼吗？MT29E3T08EUHBBM4-3:B就是您期待的破局者。这颗由美光科技打造的3Tb大容量并行NAND闪存芯片，旨在让您的数据存取体验焕然一新。

它凭借高达333MHz的运行频率和并联接口，能为您提供疾风骤雨般的数据吞吐能力，轻松应对数据中心、高端服务器、网络存储设备对高速读写的严苛要求。其宽广的工作电压与温度范围，更进一步确保了在各种复杂环境下的稳定与可靠，让您的系统设计更从容，运行更安心。

• 型号:MT29E3T08EUHBBM4-3:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 3TBIT PARALLEL 333MHZ
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:3Tb
• 存储器组织:384G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
• MT29E3T08EUHBBM4-3:B，Micron（美光）产品一站式供应商。