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还在为设备运行卡顿、数据吞吐缓慢而烦恼吗？MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR就是您期待的答案。这颗美光出品的8Gb LPDDR4移动DRAM，能以高达1600MHz的速度疾速响应，其256M x 32的宽位宽架构如同一条超级数据高速公路，让您的处理器能够瞬间存取海量信息，彻底告别等待。

它专为追求极致能效与性能的移动及嵌入式设备而生。1.1V的低工作电压帮助您大幅降低系统功耗，延长设备续航；而宽广的-40°C ~ 95°C工作温度范围，则确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行。无论是打造流畅的旗舰手机、高性能平板，还是可靠的汽车电子与工业设备，它都能提供坚实、高效的内存支持，让您的产品设计轻松应对复杂挑战，赢得市场先机。

• 型号:MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。