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您是否在寻找一颗能兼顾高性能、高可靠性与出色成本效益的存储核心？MT29F4G16ABADAH4-AIT:D正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技出品的4Gb NAND闪存芯片，采用并联接口，能以256M x 16位的架构为您的高速设备提供流畅的数据读写支持，让您的系统响应更加迅捷。

它能在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，并承受-40°C到85°C的极端温度考验，确保您的产品无论是在炎夏还是严冬，都能持续可靠运行。其紧凑的63-VFBGA封装帮助您最大化节省电路板空间，轻松实现产品设计的微型化与集成化。选择它，就是为您的嵌入式设计注入一颗强劲而稳定的“记忆芯”。

• 型号:MT29F4G16ABADAH4-AIT:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G16ABADAH4-AIT:D，Micron（美光）产品一站式供应商。