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更令人惊喜的是它的高效能与适应性。采用先进的低电压技术（1.283V-1.45V），它在提供强劲性能的同时，能有效降低系统功耗，帮助您设计出更节能环保的产品。其宽温特性（0°C至95°C）确保了在严苛环境下依然稳定工作，无论是工业现场还是通信机房，都能轻松应对。选择它，就是为您的项目选择了一份经久耐用的性能保障。

• 型号:MT41K128M16JT-125 V:K
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
• MT41K128M16JT-125 V:K，Micron（美光）产品一站式供应商。