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MT29F32G08AECBBH1-12IT:B 零件图片(仅供参考)

MT29F32G08AECBBH1-12IT:B
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MT29F32G08AECBBH1-12IT:B 规格参数

当您的嵌入式系统需要一颗既能海纳数据又能迅捷响应的“心脏”时,MT29F32G08AECBBH1-12IT:B正是为您而来的解决方案。这颗美光32Gb并行NAND闪存芯片,能轻松为您承载高达4GB的有效数据,无论是复杂的系统程序、多媒体内容还是实时日志,都能得到安全、高效的存储。

它凭借83MHz的时钟频率和并联接口,为您带来流畅快速的数据读写体验,显著提升系统整体响应速度。同时,其宽广的2.7V~3.6V工作电压范围和-40°C至85°C的工业级温度耐受能力,让您的产品设计更加灵活,并能稳定运行于各种苛刻环境之中,彻底免除您的后顾之忧。

  • 型号:MT29F32G08AECBBH1-12IT:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:100-VBGA(12x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:32Gb
  • 存储器组织:4G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:83 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:100-VBGA
  • 供应商器件封装:100-VBGA(12x18)
  • MT29F32G08AECBBH1-12IT:B,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F32G08AECBBH1-12IT:B 基本参数:

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