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MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR 零件图片(仅供参考)

MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR
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MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR 规格参数

还在为设备的多任务卡顿和能耗过高而烦恼吗?MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR专为突破性能极限而生。这颗由美光科技打造的12Gb LPDDR4移动DRAM,能以高达1600MHz的速度疾速响应,让您的应用程序加载更快、大型文件处理更高效,彻底告别等待。

它不仅仅提供海量存储空间,更通过1.1V低电压供电和先进的工艺,为您显著优化系统功耗,延长电池寿命。无论是应对严苛的-40°C低温还是105°C高温,其稳定的表现都能让您的产品在各种环境下可靠运行。选择它,就是为您的移动设备注入一颗强大而高效的心脏。

  • 制造商产品型号:MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 12GBIT 1600MHZ 200WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:12Gb(384M x 32)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1600MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:200-WFBGA
  • MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR 基本参数:

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