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还在为设备的内存性能瓶颈而烦恼吗？MT53E128M32D2DS-053 AAT:A TR就是您期待的答案。这颗来自美光科技的4Gb LPDDR4内存芯片，专为追求高性能与低功耗的尖端设备设计，它能以128Mx32的位宽提供澎湃的数据带宽，让您的应用程序运行得更快、更流畅。

它采用先进的200-WFBGA封装，体积小巧却能量巨大，非常适合空间受限的移动和嵌入式设计。无论是让您的智能手机实现多任务无缝切换，还是助力您的平板电脑轻松处理高清内容，这颗芯片都能以高效的性能表现，显著提升终端用户的体验。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的“芯”。

• 型号:MT53E128M32D2DS-053 AAT:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E128M32D2DS-053 AAT:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。