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还在为嵌入式系统的数据缓存速度而烦恼吗？MT46V64M8TG-75E:D能彻底改变这一局面。这颗来自美光科技的512Mb DDR SDRAM芯片，拥有133MHz的高时钟频率和惊人的750ps访问时间，能为您的高速处理器提供源源不断的“数据燃料”，让复杂的多任务处理和实时数据交换变得前所未有的轻松流畅。

它采用高效的64M x 8并行接口和仅15ns的快速写周期，确保大数据量的读写操作高效完成。其宽泛的2.3V~2.7V工作电压范围和0°C~70°C的工作温度，赋予了它出色的环境适应性与稳定性。无论是工业控制、网络通信还是高端消费电子，选择它，就是为您的产品选择了一个经久耐用、性能卓越的数据核心。

• 型号:MT46V64M8TG-75E:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:750 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V64M8TG-75E:D，Micron（美光）产品一站式供应商。