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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高性能、低功耗与高可靠性的内存解决方案？MT41K128M16JT-125 M AIT:K TR正是为您而来。这颗美光DDR3L SDRAM芯片，拥有2Gb大容量和800MHz高速时钟，能轻松应对数据密集型应用，大幅提升系统响应速度与多任务处理能力。

其先进的低电压设计（1.283V~1.45V）能有效降低系统整体能耗，帮助您打造更节能的产品。同时，它具备卓越的环境适应性，工作温度横跨-40°C至95°C，确保您的设备在各类严苛条件下都能稳定运行，从根本上提升产品的耐用性和市场竞争力。选择它，就是为您的核心设计注入一份强劲且可靠的动力。

• 型号:MT41K128M16JT-125 M AIT:K TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
• MT41K128M16JT-125 M AIT:K TR，Micron（美光）产品一站式供应商。