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您正在设计的系统需要一个反应迅速、永不遗忘的“记忆核心”吗？M29F400FB5AM6T2就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的4Mb并行NOR闪存芯片，能以55ns的极速访问时间，让您的处理器瞬间读取指令或数据，大幅提升系统运行效率和响应能力。

它专为严苛环境而生，支持-40°C至85°C的宽温工作范围，并符合汽车级AEC-Q100标准，确保在工业控制、汽车电子等关键应用中数据存储的绝对可靠与稳定。无论是存储启动代码、系统固件还是关键参数，它都能胜任，让您的产品拥有坚固耐用的“数字心脏”。

其灵活的x8/x16位宽配置和5V标准电压，让您的电路设计更加轻松便捷。选择它，就是为您的项目选择了一份经过市场长期验证的高性能存储解决方案。

• 型号:M29F400FB5AM6T2
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:44-SO
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:44-SOIC（0.496，12.60mm 宽）
• 供应商器件封装:44-SO
• M29F400FB5AM6T2，Micron（美光）产品一站式供应商。