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MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E TR 零件图片(仅供参考)

MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E TR
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MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E TR 规格参数

还在寻找一颗能扛重任、值得信赖的核心存储芯片吗?MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E TR就是您答案。这颗美光科技的1Gb NAND闪存,采用高效的并联接口,能为您的高速嵌入式系统提供稳定可靠的数据仓库,让您的设备数据处理又快又稳。

它能在-40°C到85°C的严苛温度范围内稳定运行,轻松应对工业、车载等恶劣环境挑战。其1.8V左右的低电压工作特性,还有助于您优化整体系统功耗,提升能效。紧凑的63球VFBGA封装,更为您的PCB布局节省宝贵空间,让设计更灵活高效。

  • 型号:MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:63-VFBGA(9x11)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:128M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:63-VFBGA
  • 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
  • MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E TR 基本参数:

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