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还在为嵌入式系统的启动速度和代码执行效率寻找可靠基石吗？M58LR128KB85ZB6E正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的128Mb并行NOR闪存，能为您提供高达66MHz的疾速数据吞吐和仅85ns的快速访问，确保您的应用系统，无论是复杂的实时操作系统还是关键的任务代码，都能实现瞬间加载与无缝执行，极大提升整体响应性能。

它采用先进的1.7V~2V低电压运行，在提供强大动力的同时显著优化能耗，让您的设备更高效、更持久。其宽温（-40°C至85°C）特性和坚固的56-VFBGA封装，意味着它能轻松应对工业、汽车、通信等各类严苛环境挑战，为您产品的稳定性和可靠性保驾护航。选择它，就是为您的核心设计注入一颗强劲而可靠的“记忆心脏”。

• 型号:M58LR128KB85ZB6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-VFBGA（7.7x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PAR 56VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:66 MHz
• 写周期时间 - 字，页:85ns
• 访问时间:85 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-VFBGA
• 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
• M58LR128KB85ZB6E，Micron（美光）产品一站式供应商。