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MT47H128M8SH-25E:M 零件图片(仅供参考)

MT47H128M8SH-25E:M
Micron 订单到达,马上发货

MT47H128M8SH-25E:M 规格参数

还在为设备的数据处理速度而烦恼吗?MT47H128M8SH-25E:M这颗1Gb DDR2 SDRAM芯片,就是您提升系统性能的得力助手。它拥有高达400MHz的运行频率和极低的访问延迟,能轻松应对高速数据读写需求,让您的应用程序运行如飞,用户体验流畅无比。

基于美光科技的先进工艺,它采用高效的并行接口和1.8V典型供电,在提供强大带宽的同时,实现了优异的功耗控制。无论是嵌入式系统、网络设备还是工业控制器,它都能可靠工作,让您的产品设计更高效,竞争力更强。

  • 型号:MT47H128M8SH-25E:M
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA(8x10)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:最后售卖
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:128M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-TFBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA(8x10)
  • MT47H128M8SH-25E:M,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT47H128M8SH-25E:M 基本参数:

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