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还在为嵌入式系统的数据吞吐瓶颈而烦恼吗？MT46V16M16CY-6:K TR这颗256Mb DDR SDRAM就是为您破局的关键。它能以高达167MHz的速度与您的处理器协同工作，提供稳定高效的临时数据存储空间，让您的设备在处理图形渲染、数据缓存或实时通信时更加游刃有余，显著提升系统响应速度。

这颗芯片采用经典的16位并行接口和2.5V左右低电压设计，让您能轻松将其集成到各种主流嵌入式平台中，有效平衡性能与功耗。其紧凑的60-TFBGA封装更为您的PCB布局节省了宝贵空间。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场千锤百炼的可靠性与高效能保障。

• 型号:MT46V16M16CY-6:K TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V16M16CY-6:K TR，Micron（美光）产品一站式供应商。