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您正在寻找一颗能显著提升系统数据吞吐能力的内存芯片吗？MT49H8M36SJ-25E:B TR正是为您而来的解决方案。它拥有288Mb（8M x 36）的充足容量和高效的并联接口，能作为系统的数据交换枢纽，轻松处理海量临时数据，让您的主处理器得以全力专注于核心运算。

这颗芯片的核心魅力在于其400MHz的高运行频率与低至15ns的访问时间，这意味着它能以极高的速度响应读写请求，大幅减少系统等待延迟。无论是用于缓冲高速网络数据包，还是实时处理图像帧，都能确保流程顺畅无阻。其1.7V~1.9V的宽电压范围设计，在提供稳定性能的同时，兼顾了能效，帮助您的产品实现更优的功耗控制。

• 型号:MT49H8M36SJ-25E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H8M36SJ-25E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。