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您正在寻找一颗能瞬间提升系统数据吞吐能力的内存芯片吗？MT40A512M8RH-062E:B正是您期待的答案。这颗美光DDR4 SDRAM芯片，拥有高达1.6GHz的运行速度和4Gb的并行存储容量，能轻松应对海量数据的实时读写需求，让您的应用程序运行如飞，彻底告别响应迟缓的困扰。

它采用先进的1.2V供电和78-TFBGA紧凑封装，在为您提供强劲性能的同时，也实现了高效的能耗控制与节省宝贵的板卡空间。无论是用于网络设备、工业控制还是高性能计算模块，它都能成为系统中最可靠的性能基石。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的卓越与稳定。

• 型号:MT40A512M8RH-062E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT40A512M8RH-062E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。