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您正在寻找一颗能同时驾驭高性能与低功耗的存储核心吗？MT46H64M16LFBF-5 AAT:B正是您的理想之选。这颗美光科技的1Gb移动LPDDR SDRAM，以高达200MHz的时钟频率和惊人的5ns访问速度，让您的系统数据处理快如闪电，轻松应对实时性要求极高的复杂任务。

它采用先进的低功耗设计，工作电压仅需1.7V~1.95V，显著延长便携设备的续航时间。其宽泛的-40°C至105°C工作温度范围与紧凑的60-VFBGA封装，让您能自信地将它部署在工业控制、汽车电子或户外设备等各类严苛环境中，确保系统在各种挑战下依然高效、稳定地运行。

• 型号:MT46H64M16LFBF-5 AAT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-VFBGA（8x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-VFBGA
• 供应商器件封装:60-VFBGA（8x9）
• MT46H64M16LFBF-5 AAT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。