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还在为移动设备的内存性能与功耗难以兼得而烦恼吗？MT53B384M32D2NP-053 WT:B正是为您解决这一核心矛盾的利器。它采用先进的Mobile LPDDR4技术，在1.1V低电压下爆发出1866MHz的高频性能，让您的设备既能流畅运行大型应用与游戏，又能显著延长电池续航，实现高效与节能的完美统一。

这颗12Gb大容量DRAM芯片，为您提供了充裕的数据吞吐空间。无论是处理4K视频、进行多任务切换，还是支撑前沿的AI算法，它都能确保数据洪流畅通无阻，彻底告别卡顿与等待。其宽温工作特性与可靠的表面贴装封装，更能让您轻松应对从消费电子到工业嵌入式的各种严苛环境挑战，是打造下一代高性能、高可靠性智能设备的理想内存基石。

• 型号:MT53B384M32D2NP-053 WT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:12Gb
• 存储器组织:384M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53B384M32D2NP-053 WT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。