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还在为嵌入式系统寻找一颗既高效又可靠的存储核心吗？NAND512W3A2SZA6E就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的512Mb并行NAND闪存，能以高达50ns的页写入速度，让您的数据存储与读取行云流水，显著提升系统整体响应性能。

它采用紧凑的63-TFBGA封装，支持宽达2.7V至3.6V的工作电压，并具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围。这意味着无论您的设备身处何种严苛环境，它都能稳定运行，为您守护每一比特关键数据。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的存储保障。

• 型号:NAND512W3A2SZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• NAND512W3A2SZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。