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MT40A4G4DVN-068H:E TR 零件图片(仅供参考)

MT40A4G4DVN-068H:E TR
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MT40A4G4DVN-068H:E TR 规格参数

您正在为项目寻找一颗既能提供澎湃数据吞吐量,又能保持高效节能的内存核心吗?MT40A4G4DVN-068H:E TR正是您的理想之选。这颗来自美光科技的16Gb DDR4 SDRAM芯片,能以高达1.467GHz的时钟频率极速处理数据,让您的服务器、网络设备或高端计算平台轻松应对人工智能、大数据分析等高带宽需求场景,彻底告别延迟卡顿。

它采用先进的并联接口与低至1.14V~1.26V的工作电压,在为您带来27ns快速访问体验的同时,显著优化系统能效比。其坚固的78-TFBGA封装确保了在宽温范围内的卓越可靠性,让您能够专注于上层应用创新,而无需担忧底层存储的稳定性与性能瓶颈。

  • 制造商产品型号:MT40A4G4DVN-068H:E TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 16GBIT FLASH 78FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:最後
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:16Gb(4G x 4)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.467GHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:27ns
  • 电压-供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:78-TFBGA
  • MT40A4G4DVN-068H:E TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT40A4G4DVN-068H:E TR 基本参数:

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