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当您的设计需要一颗能够高速响应、稳定处理海量数据流的心脏时，MT44K16M36RB-125E:A TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，能以高达800MHz的时钟频率疾速运行，配合10ns的极速访问时间，确保您的系统指令执行和数据交换毫无迟滞，轻松应对实时性要求极高的复杂任务。

它采用先进的1.28V~1.42V低电压供电和168-TBGA表面贴装封装，不仅为您带来高效能的数据吞吐体验，更能显著优化系统功耗与空间布局。无论是用于需要大量数据缓冲的工业控制设备，还是对带宽有严苛要求的通信基础设施，这颗芯片都能让您的设计游刃有余，性能表现始终稳定可靠。

• 型号:MT44K16M36RB-125E:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:10 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K16M36RB-125E:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。