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还在为设备的数据吞吐能力而烦恼吗？MT29E2T08CUHBBM4-3:B就是为您破局而生的利器。这颗美光出品的2TB并行NAND闪存，能以高达333MHz的时钟频率极速响应，让您的系统轻松驾驭海量数据读写，瞬间提升整体运行效率。

它为您提供的是一个巨量且稳定的非易失存储空间，无论是作为系统启动盘还是数据存储核心，都能确保信息的安全与快速存取。其宽广的电压适应范围与工业级工作温度，更能让您在各种应用场景中高枕无忧，专注于实现更强大的产品功能。

• 型号:MT29E2T08CUHBBM4-3:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2TBIT PARALLEL 333MHZ
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Tb
• 存储器组织:256G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
• MT29E2T08CUHBBM4-3:B，Micron（美光）产品一站式供应商。