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您是否正在寻找一颗能瞬间提升系统响应速度，同时兼顾能效表现的“心脏级”存储芯片？MT41K256M16TW-107 V:P TR正是您的理想答案。这颗来自美光科技的4Gb DDR3L SDRAM，以其256M x 16的架构和高达933MHz的时钟频率，为您的高速处理器提供充沛的数据带宽，让复杂任务处理如行云流水般顺畅。

更令人心动的是，它采用先进的低电压技术（1.283V ~ 1.45V），在爆发强劲性能的同时，能显著降低系统整体功耗，直接助力您的设备延长续航或减少散热设计压力。其0°C ~ 95°C的宽温工作范围和稳定的96-TFBGA封装，确保它在各种严苛环境下都能可靠运行。选择它，就是为您的嵌入式系统、网络设备或工业控制应用，注入一颗高效且坚韧的“性能芯”。

• 型号:MT41K256M16TW-107 V:P TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（9x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
• MT41K256M16TW-107 V:P TR，Micron（美光）产品一站式供应商。