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还在为系统运行卡顿、数据加载缓慢而烦恼吗？让MT40A1G8WE-083E AIT:B为您彻底改变这一切。这颗来自美光科技的8Gb DDR4 SDRAM芯片，凭借高达1.2GHz的疾速时钟和高效的并行接口，能瞬间提升您设备的数据吞吐能力，让大型应用加载、多任务处理和实时计算变得无比流畅。

它采用先进的工艺制程，工作电压低至1.14V~1.26V，在为您带来强劲性能的同时，显著优化能效，延长电池续航或降低系统散热压力。其宽温（-40°C ~ 95°C）特性和可靠的78-TFBGA封装，确保您的产品即使在苛刻环境下也能稳定运行。选择它，就是为您的设计注入一颗高效、可靠且面向未来的强大“记忆核心”。

• 型号:MT40A1G8WE-083E AIT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
• MT40A1G8WE-083E AIT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。