我们为全球各个行业提供Micron（美光） M29DW641F60ZE6E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能扛重任、反应迅捷的核心存储芯片吗？M29DW641F60ZE6E正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的64Mb并行NOR闪存，能以高达60ns的极速访问时间，让您的系统代码执行和数据读取毫无延迟，仿佛为您的设备装上了“闪电内存”，极大提升整体响应效率。

它为您提供稳定可靠的4M x 16位存储空间，宽达2.7V至3.6V的工作电压和-40°C到85°C的工业级温度范围，让您的产品设计更加灵活，轻松应对各种复杂供电环境和严苛的工作场景。无论是用于存储关键引导代码、系统参数，还是作为高效的程序执行载体，它都能出色完成任务，是工业控制、汽车电子及通信设备等领域值得信赖的存储伙伴。

• 型号:M29DW641F60ZE6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:60ns
• 访问时间:60 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
• M29DW641F60ZE6E，Micron（美光）产品一站式供应商。