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还在为系统数据带宽瓶颈而烦恼吗？MT49H16M18SJ-25 IT:B TR这颗288Mb（16M x 18）并行DRAM芯片，正是您提升性能的利器。它以高达400MHz的时钟频率和并联接口，为您提供高速的数据吞吐通道，轻松应对实时数据处理、大容量缓冲等苛刻任务，让您的应用运行如飞。

这颗芯片采用144-TBGA表面贴装封装，支持1.7V~1.9V宽电压供电，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作。这意味着它不仅能帮助您设计出更节能的系统，更能确保设备在极端环境下依然可靠运行，大幅提升您产品的环境适应性与市场竞争力。

• 制造商产品型号：MT49H16M18SJ-25 IT:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：DRAM
• 存储容量：288Mb（16M x 18）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：400MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：20ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.9V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：144-TBGA
• MT49H16M18SJ-25 IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。