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还在寻找能同时满足大容量与高速度需求的存储方案吗？MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A正是您的答案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片，采用高效的并联接口，能以高达100MHz的时钟频率运行，让您的设备实现快速的数据读写与处理，显著提升整体响应速度和应用流畅度。

它为您提供了一个稳定可靠的非易失性存储核心。宽电压供电（2.7V-3.6V）和0°C至70°C的工作温度范围，让您的产品设计更具灵活性，轻松应对各种工业与商业环境。无论是用于数据缓存、程序存储还是媒体归档，它都能确保您的重要信息安全无虞，随时待命。

选择这颗成熟的芯片，意味着您选择了一个经过验证的高性能解决方案。它能高效地管理海量数据流，让您的终端产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的数据吞吐能力和可靠性脱颖而出。

• 制造商产品型号：MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132LBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-LBGA
• MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A，Micron（美光）产品一站式供应商。