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您正在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心吗？MT29F1T08CUCBBH8-6ITR:B正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技打造的1Tb并行NAND闪存芯片，拥有128G x 8的庞大存储架构，能轻松成为您数据密集型设备的强大后盾。

它凭借167MHz的时钟频率和并联接口，为您带来高效的数据读写体验，确保系统响应敏捷流畅。其宽泛的电压（2.7V~3.6V）与工作温度（-40°C~85°C）适应范围，更能让您的产品从容应对各种复杂应用场景，从工业控制到高端消费电子，都能稳定发挥，助您构建更具竞争力的产品。

• 型号:MT29F1T08CUCBBH8-6ITR:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-LBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 152LBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Tb
• 存储器组织:128G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-LBGA
• 供应商器件封装:152-LBGA（14x18）
• MT29F1T08CUCBBH8-6ITR:B，Micron（美光）产品一站式供应商。