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您正在寻找一颗能扛重任、值得信赖的核心存储芯片吗？MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR正是为您而来。这颗由美光科技打造的1Gb并行NAND闪存，能为您的高要求嵌入式系统提供坚实的数据仓库。它采用高效的并联接口和紧凑的63-VFBGA封装，让您轻松实现高速数据读写并节省电路板空间，是工业控制、汽车电子等领域的理想存储解决方案。

更令人放心的是，它拥有-40°C至85°C的宽温工作能力与1.7V~1.95V的低电压供电范围，确保您的设备即使在极端环境下也能稳定运行，数据安全非易失。选择它，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与高效能，让您的产品设计无后顾之忧。

• 型号:MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。