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还在为设备的数据存储瓶颈而烦恼吗？MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E TR就是您期待的解决方案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片，采用先进的MLC技术和并联接口，能以高达267MHz的时钟频率进行高速数据交换，让您的应用轻松实现海量数据的瞬间存取与处理。

它为您带来的不仅是64GB的巨大存储空间，更是极致的可靠性。其宽电压（2.7V-3.6V）和宽温（-40°C至85°C）工作特性，确保在各种严苛环境下稳定运行。无论是嵌入式系统、工业控制还是高性能计算，它都能作为核心存储单元，让您的设计更高效、产品更具竞争力。

• 型号:MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。