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MT53E256M32D2DS-046 AAT:B 零件图片(仅供参考)

MT53E256M32D2DS-046 AAT:B
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MT53E256M32D2DS-046 AAT:B 规格参数

还在为设备的数据处理速度而烦恼吗?MT53E256M32D2DS-046 AAT:B就是您期待的解决方案。这颗美光出品的8Gb LPDDR4移动DRAM,核心使命就是让您的系统“跑”得更快、更稳、更省电。它凭借2.133GHz的高频和32位宽接口,能轻松应对高清视频流、大型游戏、多任务处理等对带宽要求苛刻的应用,彻底释放主处理器的性能。

它专为追求极致的移动和嵌入式场景而生。0.6V/1.1V的双电压设计,在提供澎湃性能的同时,显著优化了功耗,让您的设备续航更持久。其宽温(-40°C ~ 105°C)特性和可靠的200球WFBGA封装,确保了在严苛环境下的长期稳定运行。选择它,意味着您为产品选择了高效、可靠的数据引擎,让创意与体验无缝衔接。

  • 型号:MT53E256M32D2DS-046 AAT:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:256M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • MT53E256M32D2DS-046 AAT:B,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53E256M32D2DS-046 AAT:B 基本参数:

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