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还在为系统数据带宽不足而烦恼吗？让MT47H64M16HR-25E L:G TR为您注入澎湃动力！这颗美光出品的1Gb DDR2 SDRAM芯片，凭借其64M x 16的并行架构和400MHz的高时钟频率，能为您的高速应用提供巨大的数据吞吐通道，轻松应对实时数据处理、大容量缓冲等苛刻需求。

它不仅仅是一颗存储芯片，更是您提升系统性能的得力助手。1.7V~1.9V的低电压运行让您有效控制设备功耗，而0°C至85°C的宽温工作范围则确保了它在各种工业与商业环境下的卓越可靠性。采用84-TFBGA小型化封装，它能帮助您高效利用板卡空间，实现更紧凑、更优雅的产品设计。

• 型号:MT47H64M16HR-25E L:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H64M16HR-25E L:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。