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还在为嵌入式系统的数据存储瓶颈寻找突破口吗？MT29F8G16ADADAH4:D就是您期待的答案。这颗来自美光科技的8Gb并行NAND闪存芯片，能为您提供一个高速、大容量的非易失性存储核心，轻松容纳复杂的应用程序、多媒体文件或系统日志，让您的设备数据处理能力瞬间跃升。

它采用63-VFBGA紧凑封装和表面贴装技术，非常适合空间受限的设计。2.7V~3.6V的宽电压支持和0°C~70°C的工作温度范围，确保了它在各种应用环境中都能稳定运行。无论是工业控制、网络设备还是需要可靠数据存储的消费电子，这颗芯片都能成为您产品中沉默却强大的记忆引擎，高效助力您的创意落地。

• 型号:MT29F8G16ADADAH4:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F8G16ADADAH4:D，Micron（美光）产品一站式供应商。