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还在为系统数据吞吐能力不足而烦恼吗？MT49H16M36BM-25:A TR就是您期待的答案。这颗美光出品的576Mb并行DRAM，能以高达400MHz的速度运行，让您的设备轻松应对海量数据的实时读写需求，瞬间提升整体响应效率。

它采用1.8V左右低电压设计，在提供强大性能的同时兼顾能效。其宽温特性（0°C ~ 95°C）和稳定的并行接口，确保在严苛的工业与通信环境中也能可靠工作。选择它，就是为您的核心设备注入一颗强劲而稳定的“数据心脏”。

• 型号:MT49H16M36BM-25:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36BM-25:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。