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您正在寻找一颗能扛起数据重担、让系统运行如飞的核心存储器吗？MT47H256M8EB-187E:C正是您理想的答案。这颗美光出品的2Gb DDR2 SDRAM芯片，拥有533MHz的高速时钟和并联接口，能像高速公路一样让数据畅快奔流，轻松应对大量数据的实时读写需求，显著提升您的设备响应速度和处理效率。

它采用1.8V供电和先进的60-TFBGA封装，在保证强劲性能的同时实现了更优的能效比与紧凑的布局。无论是用于升级现有工业设备，还是保障通信基础设施的稳定，它都能让您的设计更可靠、运行更持久。选择它，就是为您的产品注入一颗经过市场千锤百炼的强劲‘数据心脏’。

• 型号:MT47H256M8EB-187E:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:350 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
• MT47H256M8EB-187E:C，Micron（美光）产品一站式供应商。