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还在为嵌入式系统寻找一颗值得托付的“记忆核心”吗？PC28F512M29AWLB TR就是您的高效解决方案。这颗由美光科技打造的512Mb并行NOR闪存，能为您提供海量、非易失的代码与数据存储空间，让您的设备在断电后依然牢牢记住所有关键信息。

它凭借100ns的高速访问性能，让主处理器能够快速读取指令和数据，显著提升系统整体响应效率。宽电压（2.7V-3.6V）和宽温（-40°C至85°C）支持特性，则让您能轻松应对工业、汽车、通信等领域的复杂供电与环境挑战，确保设备在各种严苛条件下稳定运行，为您的产品可靠性保驾护航。

• 型号:PC28F512M29AWLB TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-FBGA（11x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:100ns
• 访问时间:100 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-LBGA
• 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
• PC28F512M29AWLB TR，Micron（美光）产品一站式供应商。