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MT29F64G08CECCBH1-12:C TR 零件图片(仅供参考)

MT29F64G08CECCBH1-12:C TR
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MT29F64G08CECCBH1-12:C TR 规格参数

还在为寻找稳定可靠的大容量存储方案而烦恼吗?MT29F64G08CECCBH1-12:C TR正是为您排忧解难的得力助手。这颗美光出品的64Gb并行NAND闪存,能轻松为您的高速设备提供海量、非易失的数据存储空间,无论是程序代码、用户数据还是系统日志,都能安全、快速地存取。

它采用高效的并联接口和83MHz时钟频率,让您的系统数据传输更加流畅,大幅提升整体响应效率。宽电压设计和工业级温度范围,则确保了它在各种复杂应用场景下的出色稳定性。选择它,就是为您的产品选择了一个经久耐用、值得信赖的存储核心,让您的设计更高效,产品更具竞争力。

  • 制造商产品型号:MT29F64G08CECCBH1-12:C TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:64Gb(8G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:83MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:100-VBGA
  • MT29F64G08CECCBH1-12:C TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F64G08CECCBH1-12:C TR 基本参数:

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