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MT40A256M16GE-062E:B 零件图片(仅供参考)

MT40A256M16GE-062E:B
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MT40A256M16GE-062E:B 规格参数

您是否正在为项目寻找一颗能同时兼顾高速运行与稳定可靠的内存核心?MT40A256M16GE-062E:B正是为您而来的答案。这颗美光出品的4Gb DDR4 SDRAM,以高达1.6GHz的时钟频率,为您的高速计算、数据缓冲和实时处理任务提供充沛带宽,让您的系统运行如飞。

它采用并联接口和1.2V标准电压,不仅传输高效,更能帮助您优化整体功耗。广泛的工业级温度支持,让它能在各种挑战性环境中稳定工作,是您构建耐用、高性能设备的理想选择。选择它,就是选择了一份经过验证的可靠与高效。

  • 型号:MT40A256M16GE-062E:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:96-FBGA(9x14)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:256M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:96-TFBGA
  • 供应商器件封装:96-FBGA(9x14)
  • MT40A256M16GE-062E:B,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT40A256M16GE-062E:B 基本参数:

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