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MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR 零件图片(仅供参考)

MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR
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MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR 规格参数

还在为设备有限的板载空间和复杂的存储架构烦恼吗?MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR为您提供了一站式的高效存储解决方案。它将4Gb容量的NAND闪存与同样4Gb容量的低功耗移动LPDRAM完美融合于一颗137-VFBGA封装的芯片中,让您的设计瞬间变得简洁而强大。

这颗芯片能为您做什么?它让您的设备既能拥有非易失性存储的可靠性,长久保存关键数据和程序,又能借助高速RAM获得闪电般的运行响应。其并联接口与200MHz的时钟频率确保了高效的数据交换,而1.7V~1.95V的宽电压支持与-25°C至85°C的宽温工作范围,则让您的产品能够轻松应对各种严苛的应用环境,从工业控制到便携医疗,性能始终稳定如一。

  • 制造商产品型号:MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:FLASH,RAM
  • 技术:闪存 - NAND,移动 LPDRAM
  • 存储容量:4Gb(256M x 16)(NAND),4Gb(128M x 32)(LPDRAM)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:200MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:137-VFBGA
  • MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR 基本参数:

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