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您正在寻找一颗能在各种严苛环境下都值得信赖的数据存储核心吗？MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D TR正是为您而来。这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存，拥有-40°C至85°C的宽温工作能力，搭配1.7V~1.95V的低电压运行，专为应对工业、车载及户外设备的稳定性挑战而设计。

它采用高效的并行接口（512M x 8）和紧凑的63-VFBGA封装，让您的系统能够轻松实现高速数据读写与高密度板级集成。选择它，就是为您的产品选择了一颗经过市场验证、可靠耐用的“数据心脏”，让您能更专注于上层应用开发，而无须担忧存储基础的性能与可靠性问题。

• 型号:MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。