我们为全球各个行业提供Micron（美光） NAND128W3A2BN6F TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能让您的设计稳如磐石的存储核心吗？NAND128W3A2BN6F TR就是您的答案。这颗由美光科技出品的128Mb并行NAND闪存，能为您在各种严苛环境中可靠地存储程序代码、系统参数或用户数据。其50ns的高速访问能力，让数据读写毫无延迟；宽电压和宽温特性，则让您的产品轻松应对电源波动与极端气候。

无论是升级现有成熟产品，还是开发需要长期稳定供货的新项目，它都能让您高枕无忧。选择它，就是选择了一个经过全球市场千万次验证的成功方案，让您的产品赢在起跑线，更赢在持久的生命力上。

• 型号:NAND128W3A2BN6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND128W3A2BN6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。