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还在为系统数据带宽不足而烦恼吗？MT49H16M18SJ-25 IT:B就是您期待的解决方案！这颗288Mb并行DRAM，能以高达400MHz的时钟频率和20ns的快速访问时间，让您的数据吞吐变得无比顺畅，轻松应对实时数据处理和高带宽应用的严苛需求。

它采用1.7V~1.9V低电压设计，有效降低系统功耗，同时具备-40°C至85°C的宽温工作能力，确保在极端环境下依然稳定可靠。无论是工业自动化、网络通信还是嵌入式系统，它都能成为您设备高效、持久运行的强大心脏。

• 型号:MT49H16M18SJ-25 IT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H16M18SJ-25 IT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。