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还在寻找能让您的设备拥有“海量记忆”与“闪电反应”的核心部件吗？MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A TR正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的256Gb NAND闪存芯片，就像一个高效、永不忘事的数字大脑，能轻松为您存储高达32GB的海量数据，无论是复杂的系统程序、丰富的多媒体内容还是关键的运行日志，都能从容收纳。

它采用并联接口并支持100MHz时钟频率，这意味着数据吞吐如同驶上快车道，能显著提升您设备的整体响应速度和运行流畅度。其2.7V~3.6V的宽电压设计，让您的产品功耗管理更加灵活，有助于提升能效。选择它，就是为您的项目选择了一份经过验证的可靠性与高性能，让产品开发事半功倍。

• 型号:MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-TBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:256Gb
• 存储器组织:32G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-TBGA
• 供应商器件封装:100-TBGA（12x18）
• MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。