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还在寻找能瞬间提升系统响应速度的内存方案吗？MT40A2G8NRE-083E:B TR就是您期待的答案。这颗美光出品的16Gb DDR4 SDRAM芯片，以高达1.2GHz的时钟频率和并联接口，为您带来疾风骤雨般的数据吞吐能力，轻松应对密集型计算任务，让您的应用程序运行如丝般顺滑。

它采用先进的低电压设计（1.14V~1.26V），在显著降低系统功耗的同时，确保了在0°C至95°C宽温范围内的卓越稳定性。无论是用于加速AI推理、保障网络通信，还是提升图形处理性能，它都能提供高效、可靠的大容量存储支持。其紧凑的78-TFBGA封装，更让您能灵活设计，最大化利用板卡空间。

• 型号:MT40A2G8NRE-083E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:2G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
• MT40A2G8NRE-083E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。