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MT29F512G08CMCBBH7-6R:B 零件图片(仅供参考)

MT29F512G08CMCBBH7-6R:B
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MT29F512G08CMCBBH7-6R:B 规格参数

还在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与稳定性的核心存储芯片吗?MT29F512G08CMCBBH7-6R:B正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存,采用并联接口,运行频率高达166MHz,能为您的高速设备提供澎湃的数据读写性能,让海量数据存取瞬间完成,极大提升系统响应效率。

它不仅仅追求速度,更注重可靠与易用。宽电压(2.7V~3.6V)设计让供电更灵活,工业级工作温度范围(0°C~70°C)确保它在各种环境下稳定工作。紧凑的152-TBGA封装为您节省宝贵的电路板空间,让设计更优雅。选择它,就是为您的项目选择了一个经过验证、值得信赖的高性能存储基石,让您轻松构建更具竞争力的产品。

  • 型号:MT29F512G08CMCBBH7-6R:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:152-TBGA(14x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND(MLC)
  • 存储容量:512Gb
  • 存储器组织:64G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:152-TBGA
  • 供应商器件封装:152-TBGA(14x18)
  • MT29F512G08CMCBBH7-6R:B,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F512G08CMCBBH7-6R:B 基本参数:

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