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当您的设计需要一颗强大、可靠且能适应各种恶劣环境的内存核心时，MT41K256M16HA-125 AAT:E TR就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的4Gb DDR3L SDRAM芯片，能以高达800MHz的速度高效处理数据，同时凭借1.35V的低电压运行，为您显著节省系统功耗，让您的设备更节能、更冷静。

它不仅仅追求速度，更注重在严酷条件下的坚不可摧。其支持-40°C到105°C的极端工作温度，确保无论是工业控制、汽车电子还是户外通信设备，都能保持稳定流畅的数据吞吐。256M x 16的配置提供了灵活的大容量存储方案，而紧凑的96-TFBGA封装则让您能轻松应对空间受限的高密度板卡设计，助您高效实现产品性能的飞跃。

• 型号:MT41K256M16HA-125 AAT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（9x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
• MT41K256M16HA-125 AAT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。