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您是否在寻找一颗能同时满足大容量与高速度需求的存储核心？MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C TR正是您的理想答案。这颗美光出品的1Tb NAND闪存芯片，采用高效的并联接口，时钟频率高达167MHz，能让您的系统实现快速的数据吞吐，轻松应对高清视频、大型数据库或复杂应用程序的即时加载需求。

它能在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，并支持-40°C到85°C的工业级温度范围，确保您的设备在各种严苛环境下都能可靠运行。无论是嵌入式系统、网络设备还是高端消费电子产品，这颗芯片都能为您提供坚实、高效的存储基础，让您的设计更具竞争力和可靠性。

• 型号:MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-LBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 152LBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Tb
• 存储器组织:128G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-LBGA
• 供应商器件封装:152-LBGA（14x18）
• MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。