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还在为系统数据带宽不足而烦恼吗？MT47H256M8EB-25E AIT:C TR能为您提供高达2Gb（256M x 8）的存储容量和400MHz的高速时钟，让您的处理器可以毫无阻碍地快速存取海量数据，显著提升整体运行效率。

这颗采用60-TFBGA封装的DDR2 SDRAM芯片，工作电压仅需1.7V~1.9V，功耗控制出色。其并联接口和15ns的快速写周期，让您轻松应对实时性要求高的任务。更令人放心的是，它能在-40°C到95°C的极端温度下稳定工作，确保您的设备无论置于何种环境，都能可靠运行。

• 型号:MT47H256M8EB-25E AIT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
• MT47H256M8EB-25E AIT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。