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MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR 零件图片(仅供参考)

MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR
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MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR 规格参数

还在为设备运行卡顿、多任务处理乏力而烦恼吗?MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR将彻底改变这一局面。这颗美光科技的32Gb移动LPDDR4 DRAM芯片,以高达1866MHz的澎湃动力,为您的高速应用注入灵魂,让数据吞吐如行云流水般顺畅。

它能让您的智能手机或平板电脑轻松驾驭大型游戏和4K视频编辑,带来无与伦比的流畅体验;在车载系统中,它能确保复杂信息显示的即时响应,提升驾驶安全与乐趣。其1.1V低电压设计和卓越的功耗控制,更让您在享受高性能的同时,有效管理设备能耗,延长续航。选择它,就是为您的产品选择了一个可靠、高效且面向未来的强大心脏。

  • 制造商产品型号:MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1866MHZ
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR 基本参数:

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